Beau ideal Electronics of Technology & Application
Metal Ga과 HCl Gas를 이용하는 대기압에서 Ga, All 및 In HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)로 화학 반응을 기반으로 GaN를 단순화 하고 비용을 효율적으로 고순도, 양질의 GaN 결정후막을 얻을 수 있습니다.
| Summary Features |
| Modular design |
| Quartz reactor |
| Furnace: Temp max. 1000~1200℃ |
| Loadlock(optional) |
| Rotation |
| Gas supply system |
| Computer control |
| Easy handling and maintenance |
| Capacity: 1*2˝,3*2”, 3*4” |
